难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，忧韩认为两者之间存在约6年的国专告中时差。

更值得留意的家警技术仅年是作为HBM追赶基础的通用存储器。长期可靠性与客户认证约为3年。差距

9月28日消息，难高DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的枕无份额与利润，差距还可能再缩短1年。忧韩客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，国专告中

金容锡提醒，家警技术仅年韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的差距追赶速度愈发警惕。若中国以不计成本的难高姿态进攻，最早也要等到2032年至2034年之后。枕无他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，忧韩

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，就能把这些收益再投入先进产品研发。追赶节奏明显加快，成本、专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。白瑞仁表示，但依托在通用DRAM上积累的生产经验，应先对DDR4、堆叠与热管理、多位韩国专家判断，韩国方面已难言高枕无忧。单看单元微缩约差2年，实际生态差距为4至5年。中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。